* EEPROM Es un tipo de memoria de solo lectura que se puede borrar y reprogramar varias veces. Sin embargo, el tiempo del ciclo de borrado/escritura para EEPROM es relativamente lento, normalmente del orden de milisegundos o incluso segundos.
* Destello La memoria, por otro lado, es un tipo de memoria no volátil que se puede borrar y reprogramar mucho más rápidamente que la EEPROM. Los tiempos de los ciclos de borrado/escritura de la memoria flash suelen ser del orden de microsegundos o incluso nanosegundos.
Otra diferencia entre la memoria EEPROM y la memoria Flash es la cantidad de ciclos de borrado/escritura que puede soportar cada tecnología. La EEPROM suele tener una capacidad de entre 10.000 y 100.000 ciclos de borrado/escritura, mientras que la memoria Flash suele tener una capacidad de entre 100.000 y 1.000.000 de ciclos de borrado/escritura.
Finalmente, la memoria EEPROM y Flash se diferencian en su coste por bit. La EEPROM suele ser más cara que la memoria Flash, aunque el coste por bit de ambas tecnologías ha ido disminuyendo en los últimos años.
En general, EEPROM es más adecuada para aplicaciones donde es necesario almacenar datos y acceder a ellos con poca frecuencia, como en ajustes de configuración o datos de calibración. La memoria flash es más adecuada para aplicaciones donde es necesario almacenar datos y acceder a ellos rápidamente, como en sistemas integrados o unidades USB.
A continuación se muestra una tabla que resume las diferencias clave entre EEPROM y memoria Flash:
| Característica | EEPROM | Destello |
|---|---|---|
| Tiempo del ciclo de borrado/escritura | Milisegundos a segundos | Microsegundos a nanosegundos |
| Número de ciclos de borrado/escritura | 10.000 a 100.000 | 100.000 a 1.000.000 |
| Costo por bit | Más caro | Menos costoso |
| Ideal para | Aplicaciones en las que es necesario almacenar datos y acceder a ellos con poca frecuencia | Aplicaciones donde es necesario almacenar datos y acceder a ellos rápidamente |