- RAM estática (SRAM) es un tipo de memoria de acceso aleatorio (RAM) que utiliza un circuito de enclavamiento para almacenar cada bit de datos. Esto significa que los datos en SRAM no necesitan actualizarse constantemente, a diferencia de la RAM dinámica (DRAM). Por tanto, la SRAM es más rápida y fiable que la DRAM, pero también es más cara.
- SRAM se utiliza normalmente en aplicaciones donde la velocidad y la confiabilidad son críticas, como cachés y buffers. También se utiliza en algunos sistemas integrados, como los microcontroladores.
- Las células SRAM están formadas por un par de inversores de acoplamiento cruzado. Los inversores están conectados de manera que la salida de un inversor esté conectada a la entrada del otro y viceversa. Esto crea un bucle de retroalimentación positiva, que hace que los inversores se enganchen en uno de dos estados estables.
- Los dos estados estables de una celda SRAM corresponden a los dos valores posibles de un bit:0 y 1. Cuando la celda está en estado 0, la salida del primer inversor es baja y la salida del segundo inversor es alta. Cuando la celda está en el estado 1, ocurre lo contrario.
- Los datos de una celda SRAM se leen conectando las salidas de los dos inversores a las entradas de un amplificador de detección. El amplificador de detección amplifica la pequeña diferencia de voltaje entre las dos salidas y luego genera una señal digital que corresponde al bit almacenado.
- Se puede escribir en celdas SRAM aplicando un voltaje a los terminales de escritura de la celda. Esto hace que la celda cambie al estado opuesto.
- La SRAM es un tipo de RAM más cara que la DRAM, pero también es más rápida y fiable. Por lo tanto, SRAM se utiliza en aplicaciones donde la velocidad y la confiabilidad son críticas, como cachés y buffers.