El primer transistor semiconductor de óxido metálico (MOS) fue inventado en 1959 por Mohamed M. Atalla y Dawon Kahng en Bell Labs. El MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) fue inventado por Kahng y Atalla en 1959, y el primer dispositivo comercial CMOS (MOS complementario) fue producido en 1968 por Fairchild Semiconductor.
